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    12月1日獲悉，富士通半導(dǎo)體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵(GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。

    最近，富士通半導(dǎo)體開(kāi)始與富士通研究所(Fujitsu Laboratories Limited) 合作進(jìn)行技術(shù)開(kāi)發(fā)，包括開(kāi)發(fā)工藝技術(shù)來(lái)增加硅基板上的高質(zhì)量GaN晶體數(shù)量；開(kāi)發(fā)器件技術(shù)，如優(yōu)化電極的設(shè)計(jì)，來(lái)控制開(kāi)關(guān)期間導(dǎo)通電阻的上升；以及設(shè)計(jì)電源單元電路布局來(lái)支持基于GaN的器件的高速開(kāi)關(guān)。這些技術(shù)開(kāi)發(fā)結(jié)果使富士通半導(dǎo)體在使用GaN功率器件的功率因數(shù)校正電路中成功實(shí)現(xiàn)了高于傳統(tǒng)硅器件性能的轉(zhuǎn)換效率。富士通半導(dǎo)體還設(shè)計(jì)了一種具有上述功率因數(shù)校正電路的服務(wù)器電源單元樣品，并成功實(shí)現(xiàn)了2.5kW的輸出功率。將該項(xiàng)技術(shù)的開(kāi)發(fā)成功也意味著富士通半導(dǎo)體鋪平了其GaN功率器件用于高壓、大電流應(yīng)用的道路。

    富士通半導(dǎo)體最近在其會(huì)津若松工廠建成了一條6英寸晶圓大規(guī)模生產(chǎn)線，并將在2013年下半年開(kāi)始GaN功率器件的滿負(fù)荷生產(chǎn)。今后，通過(guò)提供針對(duì)客戶應(yīng)用而優(yōu)化的功率器件以及電路設(shè)計(jì)技術(shù)支持，富士通半導(dǎo)體將支持用途廣泛的低損耗、高集成的電源單元的開(kāi)發(fā)。富士通半導(dǎo)體希望其GaN功率器件銷售收入在2015財(cái)年達(dá)到約100億日元。